- 相關(guān)推薦
固態(tài)硬盤TLC和MLC的區(qū)別
固態(tài)硬盤簡稱SSD，簡單來說，起就是由子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤，由控制單元和存儲(chǔ)單元組成。那么固態(tài)硬盤TLC和MLC的區(qū)別又有哪些呢，一起來看看吧!
SLC、MLC、TLC到底是什么?
NAND閃存的類型有SLC、MLC和TLC這三種，SLC不論性能還是可靠性都是都是最好的，但成本也是最高的;MLC閃存性能、可靠性次之，它的性能、可靠性與成本上是相當(dāng)均衡的，是目前的絕對(duì)主力;TLC則是在2012年之后三星才把它帶入SSD市場的，之前主要是用在U盤以及存儲(chǔ)卡上面，在三星先行了兩年之后今年其他廠商終于跟上了，大量的TLC SSD開始推向市場。
SLC、MLC與TLC的簡單區(qū)別
SLC =Single-Level Cell，即1 bit per cell，只存在0和1兩個(gè)充電值，結(jié)構(gòu)簡單但是執(zhí)行效率高。SLC閃存的優(yōu)點(diǎn)是傳輸速度更快，功率消耗更低和存儲(chǔ)單元的壽命更長。然而，由于每個(gè)存儲(chǔ)單元包含的信息較少，其每百萬字節(jié)需花費(fèi)較高的成本來生產(chǎn)，由于成本過高你基本上只會(huì)在高端的企業(yè)級(jí)SSD上見到它，流入到消費(fèi)級(jí)平臺(tái)上的基本都是非原封的。
MLC =Multi-Level Cell，即2 bit per cell，有00,01,10,11四個(gè)充電值，因此需要比SLC更多的訪問時(shí)間，不過每個(gè)單元可以存放比SLC多一倍的數(shù)據(jù)。MLC閃存可降低生產(chǎn)成本，但與SLC相比其傳輸速度較慢，現(xiàn)在大多數(shù)消費(fèi)級(jí)SSD都是使用MLC做的。
TLC =Trinary-Level Cell，即3 bit per cell，每個(gè)單元可以存放比MLC多1/2的數(shù)據(jù)，共八個(gè)充電值，所需訪問時(shí)間更長，因此傳輸速度更慢。TLC優(yōu)勢價(jià)格便宜，每百萬字節(jié)生產(chǎn)成本是最低的，但是壽命短，通常用在U盤或者存儲(chǔ)卡這類移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備上。
TLC閃存的優(yōu)劣勢
TLC閃存的優(yōu)勢是容量更大，成本更低，舉例來說，同樣的晶體管電路做成64Gb的SLC閃存，那么變成MLC、TLC閃存則可以得到128Gb、192Gb的容量，這對(duì)廠商來說大大降低了成本。
從結(jié)果上來看，各種閃存的物理結(jié)構(gòu)是相同的，但是控制上一個(gè)比一個(gè)復(fù)雜，SLC每個(gè)Cell能儲(chǔ)存1個(gè)數(shù)據(jù)，有兩種電位變化，MLC每個(gè)Cell能儲(chǔ)存2個(gè)數(shù)據(jù)，有四種電位變化，TLC每個(gè)Cell可以儲(chǔ)存3個(gè)數(shù)據(jù)，有8種電位變化，MLC和TLC每個(gè)Cell單元中有多個(gè)信號(hào)，是通過控制不同的電壓來實(shí)現(xiàn)的，施加不同的電壓就會(huì)有更多的電位變化，NAND閃存單元就可以容納不同的信號(hào)組合。
TLC閃存在P/E壽命、讀寫速度上要比MLC、SLC差很多，但是，TLC閃存也不是只有光鮮的一面，它帶來的考驗(yàn)也更大。容納的電位多了可以提升容量，但也使得整個(gè)過程更復(fù)雜，需要更精確的電壓控制，Program過程所需時(shí)間更多，因此寫入性能也會(huì)大幅下降，所以現(xiàn)在的TLC SSD都啟用了SLC Cache模式提升寫入速度，否則那個(gè)寫入速度是很難讓人接受的;讀取，特別是隨機(jī)讀取性能也會(huì)受影響，因?yàn)樾枰ǜ嗟臅r(shí)間從八種電信號(hào)狀態(tài)中區(qū)分所需數(shù)據(jù)。
最關(guān)鍵的是閃存壽命直線下降，MLC的P/E次數(shù)至少還有3000-5000次，而TLC公認(rèn)的P/E指標(biāo)是1000次，好點(diǎn)的可能做到1500次，依然比MLC差很多。
3D NAND閃存——TLC未來的出路
說了這么多傳統(tǒng)的2D TLC閃存問題確實(shí)非常的多，有些問題是可以解決的，比如寫入性能差就可以通過SLC Cache的運(yùn)用，只要制造一個(gè)大容量的緩沖區(qū)用戶很多時(shí)候就不會(huì)感覺得到寫入速度慢，而且SLC Cache玩得好還有延長壽命的作用。
但是有些東西是解決不了的，傳統(tǒng)的2D閃存在達(dá)到一定密度之后每個(gè)電源存儲(chǔ)的電荷量會(huì)下降，另外相鄰的存儲(chǔ)單元也會(huì)產(chǎn)生電荷干擾，20nm工藝之后，Cell單元之間的干擾現(xiàn)象更加嚴(yán)重，如果數(shù)據(jù)長時(shí)間不刷新的話就會(huì)出現(xiàn)像之前三星840 Evo那樣的讀取舊文件會(huì)掉速的現(xiàn)象，三星后來推出了新固件改善算法才解決問題，估計(jì)新的固件會(huì)定時(shí)覆寫舊的數(shù)據(jù)，這樣肯定會(huì)對(duì)閃存的壽命有影響。而3D NAND是不再追求縮小Cell單元，而是通過3D堆疊技術(shù)封裝更多Cell單元，這樣也可以達(dá)到容量增多的目的。
【固態(tài)硬盤TLC和MLC的區(qū)別】相關(guān)文章：
機(jī)械硬盤和固態(tài)硬盤選擇注意事項(xiàng)03-09
固態(tài)硬盤參數(shù)介紹09-21
關(guān)于機(jī)械硬盤如何秒變固態(tài)硬盤11-26
機(jī)械硬盤與其他硬盤的區(qū)別03-28
硬盤各種分區(qū)的區(qū)別08-04