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內(nèi)存中DDR3是什么意思
導(dǎo)語： DDR3是一種電腦內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品，提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓。以下是小編為大家精心整理的電腦知識，歡迎大家參考！
DDR3技術(shù)概論
DDR3 SDRAM為了更省電、傳輸效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，運作I/O電壓是1.5V，采用CSP、FBGA封裝方式包裝，除了延續(xù)DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更為精進的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。
DDR3內(nèi)存的`技術(shù)改進
邏輯Bank數(shù)量：DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計，目的就是為了應(yīng)對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的'16個邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。
封裝：DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。
突發(fā)長度：由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期(BL，Burst Length)也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。
尋址時序：DDR3的延遲在5至11之間，且附加延遲(AL)的設(shè)計也有所變化。
降低功耗：DDR3內(nèi)存在達到高帶寬的同時，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測DDR3將比現(xiàn)時DDR2節(jié)省30%的功耗。
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