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  • 固態(tài)硬盤(pán)的優(yōu)勢(shì)

    時(shí)間:2021-01-18 15:57:43 硬件知識(shí) 我要投稿

    固態(tài)硬盤(pán)的優(yōu)勢(shì)

      固態(tài)硬盤(pán)給系統(tǒng)性能帶來(lái)的提升是顯而易見(jiàn)的,那么固態(tài)硬盤(pán)的優(yōu)勢(shì)究竟有哪些呢,一起來(lái)看看!

      1、讀取速度

      固態(tài)硬盤(pán)的讀取速度普遍可以達(dá)到400M/s,寫(xiě)入速度也可以達(dá)到130M/s以上,其讀寫(xiě)速度是普通機(jī)械硬盤(pán)的3-5倍;

      2、抗震能力

      傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(pán)內(nèi)部有高速運(yùn)轉(zhuǎn)的磁頭,其抗震能力很差,因此一般的機(jī)械硬盤(pán)電如果是在運(yùn)動(dòng)中或者震動(dòng)中使用,很容易損壞硬盤(pán)。而機(jī)械硬盤(pán)采用芯片存儲(chǔ)方案,內(nèi)部無(wú)磁頭,具備超強(qiáng)的抗震能力,即便是在運(yùn)動(dòng)或者震動(dòng)中使用,也不容易損壞。

      3、功耗

      固態(tài)硬盤(pán)功耗低,并且具備極低功耗待機(jī)功能,而機(jī)械硬盤(pán)則不具備;

      4、噪音

      固態(tài)硬盤(pán)運(yùn)行中基本聽(tīng)不到任何噪音,而機(jī)械硬盤(pán)一般湊近聽(tīng)可以聽(tīng)到內(nèi)部的磁盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)以及震動(dòng)的聲音,一些使用比較久的機(jī)械硬盤(pán)噪音更為明顯。

      5、發(fā)熱

      機(jī)械硬盤(pán)發(fā)熱較少,即便是在運(yùn)行一段時(shí)間后,其表面也感受不到明顯的發(fā)熱,而機(jī)械硬盤(pán)運(yùn)行一段時(shí)間后,用手觸摸可以明顯感受到是熱的。

      固態(tài)硬盤(pán)內(nèi)部構(gòu)造:

      1.主控。主控芯片是固態(tài)硬盤(pán)的大腦,其作用一是合理調(diào)配數(shù)據(jù)在各個(gè)閃存芯片上的負(fù)荷,二則是承擔(dān)了整個(gè)數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn),連接閃存芯片和外部SATA接口。不同的'主控之間能力相差非常大,在數(shù)據(jù)處理能力、算法,對(duì)閃存芯片的讀取寫(xiě)入控制上會(huì)有非常大的不同,直接會(huì)導(dǎo)致固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品在性能上差距高達(dá)數(shù)十倍。

      2.緩存。固態(tài)硬盤(pán)和傳統(tǒng)硬盤(pán)一樣需要高速的緩存芯片輔助主控芯片進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。這里需要注意的是,有一些廉價(jià)固態(tài)硬盤(pán)方案為了節(jié)省成本,省去了這塊緩存芯片,這樣對(duì)于使用時(shí)的性能會(huì)有一定的影響。

      3.內(nèi)存。除了主控芯片和緩存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash閃存芯片了。NAND Flash閃存芯片又分為SLC(單層單元)MLC(多層單元)以及TLC(三層單元)NAND閃存。


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